特許

J-GLOBAL ID：200903029153497846

半導体装置の製造方法

発明者： 石川 誠二 ,  下社 貞夫 ,  中里 純 ,  谷口 雄三 ,  松岡 一彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125490
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345848
出願日： 1990年02月23日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】ウェハの欠陥処理の容易化と管理の効率化に好適な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハを撮像して検出した欠陥を検索情報と共に画面上に同時表示し、発生状態を監視しながら製造する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、所定の工程を経たウェハを撮像して欠陥を検出し、該検出した欠陥の画像を前記ウェハを特定する情報と共に記憶し、該記憶したウェハを特定する情報を画面上に表示し、該画面上に表示されたウェハを特定する情報から所望のウェハを選択し、該選択した所望のウェハの前記検出した欠陥に関する情報を画面上に表示し、該画面上に表示した所望のウェハの欠陥に関する情報から観察する欠陥を指定し、該指定した欠陥の画像を画面上に表示し、該表示した前記所望のウェハの欠陥に関する情報と前記欠陥の画像とに基づいて欠陥の発生の状態を監視しながら半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。