フルオロスルホンアミド含有ポリマーを有するネガ型レジスト組成物およびパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史 , 太佐種一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-520525
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525696
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】水性塩基現像液に優れた溶解反応を示すポリマーを含むネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】以下の2つの化学式のうちの1つを有する少なくとも1種のフルオロスルホンアミド・モノマー単位を有するポリマーを含むネガ型レジスト組成物である【化1】ここで化学式中、Mは、重合可能な骨格部分であり、Zは、-C(O)O-、-C(O)-、-OC(O)-、-O-C(O)-C(O)-O-またはアルキルからなる群から選択される連結部分であり、Pは、0または1であり、R1は、炭素数が1〜20個の直鎖または分岐鎖アルキル基であり、R2は、水素、フッ素、炭素数が1〜6個の直鎖または分岐鎖アルキル基、または一部もしくは全てがフッ素化された炭素数が1〜6個の直鎖または分岐鎖アルキル基であり、nは、1〜6の整数である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ポリマーを含むネガ型レジスト組成物であって、ポリマーが以下の2つの化学式

IPC (6件)：

G03F 7/033 , G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 20/38 , C08F 32/04

FI (7件)：

G03F7/033 , G03F7/039 601 , G03F7/004 503A , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , C08F20/38 , C08F32/04

Fターム (38件)：

2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB42 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL09Q , 4J100AL10Q , 4J100AM21Q , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100BA03Q , 4J100BA04Q , 4J100BA15Q , 4J100BA59P , 4J100BA59Q , 4J100BB18P , 4J100BC08P , 4J100BC09Q , 4J100BC49Q , 4J100BC54Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

特許第6420503号
Siポリマー含有フォトレジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-361269 出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
平版印刷版用原版
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-264005 出願人：富士写真フイルム株式会社

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