半導体デバイスとその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-144195
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303241
出願日： 2004年04月13日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】本発明は、従来は臨界膜厚の制限を受けて作製が困難であった基板結晶とは大きな格子定数の不整合を有する組成の半導体バルク的薄膜を作製する技術を提供するものである。【解決手段】半導体基板結晶上に分子線エピタキシー(MBE)法を用いて製作した半導体薄膜結晶において、その成長条件として、成長温度が150°C〜450°Cの範囲であり、V族元素とIII族元素のビーム強度比V/IIIが2〜200の範囲であり、かつBe(ベリリウム)又はC(カーボン)又はその他のドーパントが1〜90x1018cm-3の濃度でドープされると、該半導体薄膜結晶がその基板結晶と格子整合していない場合でも、膜厚が臨界膜厚を超えてもミスフィット転位が発生しないという、本発明者らの実験に基づいた発見を利用するものである。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板結晶上に分子線エピタキシー(MBE)法や有機金属化学堆積(MOCVD)法あるいはその他のエピタキシャル結晶成長法を用いて製作した半導体薄膜結晶において、その成長条件として、成長温度が150°C〜450°Cの範囲であり、V族元素とIII族元素のビーム強度比V/IIIが2〜200の範囲であり、かつBe(ベリリウム)又はC(カーボン)又はその他のドーパントが1〜90x1018cm-3の濃度でドープされており、該半導体薄膜結晶がその基板結晶と格子整合していないことを特徴とする、膜厚が10nm以上の半導体薄膜製造方法。

IPC (10件)：

H01L21/205 , G02F1/015 , G02F1/35 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01S5/323 , H01S5/50

FI (8件)：

H01L21/205 , G02F1/015 505 , G02F1/35 , H01L21/20 , H01L21/203 M , H01S5/323 , H01S5/50 610 , H01L29/80 H

Fターム (48件)：

2H079AA08 , 2H079AA14 , 2H079BA01 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079HA16 , 2K002BA01 , 2K002CA13 , 2K002GA07 , 2K002HA30 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB17 , 5F045AC19 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AF04 , 5F045BB12 , 5F045DA61 , 5F052KA01 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ06 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL16 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102HC01 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103KK07 , 5F103KK10 , 5F103LL09 , 5F103NN01 , 5F103RR05 , 5F173AH14 , 5F173AJ05 , 5F173AJ06 , 5F173AP05 , 5F173AP09

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