特許

J-GLOBAL ID：200903029164010000

半導体製造プロセスに対するin-situ測定方法および装置

発明者： ベルトラント フリートナー ,  カー パウル ムラー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325226
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174084
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造における歩留りを向上させるために、半導体ウェハ上の様々な場所で、経時的かつ高精度な in-situ 温度測定および制御を行う方法および装置を提供すること。【解決手段】 プロセスパラメータの in-situ 測定用の測定装置において、パラメータ測定用のセンサと、測定したパラメータを格納するストレージデバイスと、パラメータ測定を経時的にするタイミングデバイスと、前記各デバイスのための電源とを含む、製造処理済みのチップを有する半導体ウェハを有するように構成する。またプロセスパラメータを in-situ 測定する方法において、製造処理済みのチップを有する半導体ウェハを提供し、前記ウェハをプロセスチャンバに固定し、前記ウェハに製造プロセスを実行し、プロセス中に測定されたパラメータをストレージデバイスに格納し、パラメータを読み出すステップを含むようにする。

請求項（抜粋）：

プロセスパラメータを in-situ 測定するための測定装置において、該測定装置は、少なくとも1つの製造処理済みのチップが形成された半導体ウェハを有し、前記製造処理済みのチップは、プロセスパラメータを測定するための少なくとも1つのセンサと、前記プロセスパラメータが前記少なくとも1つのセンサにより測定されると、前記プロセスパラメータを格納するためのストレージデバイスと、前記プロセスパラメータを時間の関数として追跡するためのタイミングデバイスと、前記少なくとも1つのセンサ、前記ストレージデバイスおよび前記タイミングデバイスにエネルギーを供給するための電源とをさらに有する、ことを特徴とする測定装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G05B 19/00 ,  G05D 23/00

FI (3件)：

H01L 21/66 T ,  G05B 19/00 ,  G05D 23/00 D