特許
J-GLOBAL ID：200903029164172248
半導体素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-084712
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258640
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】上部電極として十分な膜厚の金属層を発光端面(劈開端面)近傍まで形成し、高い放熱性を維持できると共に、製品歩留まりを高く維持することができる半導体素子を提供する。【解決手段】複数の半導体層が積層された半導体基板4と、該半導体基板の積層方向の一面上に形成された電極とを有する半導体素子において、前記電極10は、前記一面全面を覆って形成され、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)の少なくともいずれか一方を含んでなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体層が積層された半導体基板と、該半導体基板の積層方向の一面上に形成された電極とを有する半導体素子において、
前記電極は、前記一面全面を覆って形成され、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)の少なくともいずれか一方を含んでなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F173AA08
, 5F173AH08
, 5F173AK02
, 5F173AK04
, 5F173AR72
