特許

J-GLOBAL ID：200903029164789806

発光Si超微粒子パターンの形成方法

発明者： 川田 洋揮 ,  遠藤 喜重 ,  斉藤 昇 ,  岡田 亮二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308448
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163984
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【構成】粒径が2〜6ナノメータのSiの超微粒子を、揮発性用液中に混入し、これを刷毛やスプレーで塗布して、絵や文字を描く。溶液を揮発させ、発光するSiの絵や文字を得る。透明の管に、発光Siの超微粒子を混入した導電性溶液を封入する。【効果】大きな物体や、壁面上に、低コストで発光文字や絵を描くことができる。また消費電力も低くでき、消費電力の少ない発光管を得ることができる。

請求項（抜粋）：

発光特性を示すパターンの形成方法において、あらかじめ製作した、発光特性を有するSi超微粒子または多孔質体を揮発性の溶液中に分散させ、部材上に塗布して乾燥させ、前記Si超微粒子または前記多孔質体の層を形成することを特徴とする発光特性を示すパターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/59 CPR ,  F21K 2/00