特許

J-GLOBAL ID：200903029166132812

高利得光電変換デバイス及び積層型固体撮像素子

発明者： 田中 克 ,  小杉 美津男 ,  安藤 文彦 ,  山脇 正雄 ,  一法師 隆志
出願人/特許権者： 日本放送協会 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 三好 保男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097470
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 光電変換デバイスにおいて、従来のアバランシェ増倍を生じるに必要な膜の印加電圧の半分以下の印加バイアスで十分な光増倍利得を得る。【構成】 ITOによって構成される上部透明電極1と、CeO2 によって構成される膜厚約100オングストロームの正孔注入阻止強化層2と、膜厚1.6μmのa-Se(アモルファス-セレニュウム)を主成分とする光導電膜3と、下地電極チタンシリサイド4とによって高利得光電変換デバイスを構成する。

請求項（抜粋）：

カソード側電極とアノード側電極との間にa-Seを主成分とする光導電変換膜を形成して成る光電変換デバイスにおいて、カソード側電極またはアノード側電極のいずれか一方または双方を、高融点金属のシリサイドを主成分とする電極で構成したことを特徴とする高利得光電変換デバイス。

IPC (2件)：

H01L 31/0248 ,  G01J 1/02