特許

J-GLOBAL ID：200903029169797386

3-5族化合物半導体用電極および発光素子

発明者： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106770
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306643
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】3-5族化合物半導体を用いて、発光面から均一な発光を得ることができる発光素子および該3-5族化合物半導体に用いる電極を提供することにある。【構成】〔1〕サファイア上に形成されたn型またはp型の一般式Inx GayAlz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いる電極において、n電極7は3-5族化合物半導体の面の実質的に中央部に形成されてなり、p電極6は同一面上に該n電極を囲む形状に形成されてなることを特徴とする3-5族化合物半導体用電極。〔2〕サファイア上に形成されたn型またはp型の一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体と、〔1〕記載の3-5族化合物半導体用電極を用いたことを特徴とする発光素子。

請求項（抜粋）：

サファイア上に形成されたn型またはp型の一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いる電極において、n電極は3-5族化合物半導体の面の実質的に中央部に形成されてなり、p電極は同一面上に該n電極を囲む形状に形成されてなることを特徴とする3-5族化合物半導体用電極。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C