薄膜形成装置のターゲット保持機構

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321497
出願日： 1989年01月11日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ターゲット交換をプロセスチャンバの真空状態を変えることなく行なうことができ、1つのチャンバで多種類のターゲットを用いた成膜が可能となり、スループットの向上を図れるターゲット保持機構を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、減圧室内にウエハとターゲットとを対向するように配設し、該ターゲットの材料を前記ウエハ面上に形成するように構成された薄膜形成装置において、前記減圧室内に配設され、表面が絶縁物で覆われた導電材料から成るホルダと、該ホルダと該ホルダの絶縁物上に載置されるターゲットとの間に静電吸着力を生じさせる静電吸着手段とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

減圧室内にウエハとターゲットとを対向するように配設し、該ターゲットの材料を前記ウエハ面上に形成するように構成された薄膜形成装置において、前記減圧室内に配設され、表面が絶縁物で覆われた導電材料から成るホルダと、該ホルダと該ホルダの絶縁物上に載置されるターゲットとの間に静電吸着力を生じさせる静電吸着手段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置のターゲット保持機構。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/31 D , C23C 14/34 C , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-291970
特開昭57-108264
特開平1-177368

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