半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047282
公開番号（公開出願番号）：特開平9-245476
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】出力用昇圧電源発生回路の消費電流を低減しかつ安定に出力用昇圧電源を最適な電荷供給力で供給する。【解決手段】出力バッファ回路(128)に含まれるHレベルデータ出力用トランジスタを駆動するために利用される昇圧電源VPPOを出力するVPPO発生回路(132)は、VPPO制御回路130により、データ読出動作時においてのみ活性状態とされる。必要なときのみVPPO発生回路を動作させることにより、この回路における消費電力を低減する。

請求項（抜粋）：

第1の電源ノードと出力ノードとの間に結合され、内部読出データに応じて前記第1の電源ノード上の電圧レベルの読出データを前記データ出力ノードへ出力するための出力ドライブ素子と、前記第1の電源ノード上の電圧よりも絶対値の大きな昇圧電圧を一方動作電源電圧として受けて動作し、前記内部読出データに応答して前記出力ドライブ素子を駆動する出力ドライブ段と、データ読出動作指示信号の活性化時活性化され、チャージポンプ動作により前記昇圧電圧を発生して前記出力ドライブ段へ印加する内部昇圧電圧発生手段を備える、半導体記憶装置。

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