特許

J-GLOBAL ID：200903029185532635

半導体装置およびその製造方法

発明者： 中尾 修治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 葛野 信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240096
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092714
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造において、配線層の位置とこれに垂直に交わる導通路の形成の際、マスクパターンの位置ずれにより誤差が生じるのを防ぐ。【解決手段】 配線層とこれに垂直に当たる導通路を形成する半導体装置において、配線層を形成するためのレジストパターンを形成するに際し、配線層形成用のマスクと開口形成用のマスクとで二重露光することにより、配線層の位置および形状が開口の位置に対して正確に定まるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に並行な第1の層を形成するために用いられるレジストパターンを形成するための第1のマスクと、前記第1の層に垂直に交差する通路を形成するために用いられるレジストパターンを形成するための第2のマスクとを備え、前記第1のマスクと前記第2のマスクとの投影露光法による多重露光により前記第1の層を形成するために用いられるレジストパターンを形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/30 514 A ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/88 B