特許
J-GLOBAL ID：200903029185984650

チップ型電子部品の高周波特性試験装置

発明者：
村山 英之

村山 英之 について

, 
中村 聡

中村 聡 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 村上 啓吾 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-132442
公開番号（公開出願番号）：特開2003-329725
出願日： 2002年05月08日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：
【要約】【課題】 被測定対象となるチップ型電子部品の近くでインピーダンス整合をとることができ、しかもプローブやチップ型電子部品を含む周辺温度の上昇を有効に抑えることができるようにして、高周波信号の伝送特性を向上するとともに、チップ型電子部品の高周波特性を正確に測定することができる高周波特性試験装置を提供する。【解決手段】 ステージ2上に載置されたチップ型電子部品1にプローブ3を接触し、このチップ型電子部品1に対して高周波伝送路からプローブ3を介して高周波信号を入力して当該チップ型電子部品1の高周波特性を試験するものであって、ステージ2上のチップ型電子部品1に隣接する位置には、プローブ3がチップ型電子部品1と共に接触されるインピーダンス整合素子14が配置されている。
請求項（抜粋）：
ステージ上に載置されたチップ型電子部品にプローブを接触するとともに、このチップ型電子部品に対して高周波伝送路から前記プローブを介して高周波信号を入力して当該チップ型電子部品の高周波特性を試験するチップ型電子部品の試験装置において、前記ステージ上のチップ型電子部品に隣接する位置には、前記プローブがチップ型電子部品と共に接触されるインピーダンス整合素子が配置されていることを特徴とするチップ型電子部品の試験装置。
IPC (3件)：
G01R 31/26 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/28
FI (3件)：
G01R 31/26 J ,  G01R 1/06 E ,  G01R 31/28 K
Fターム (14件)：
2G003AA07 ,  2G003AB00 ,  2G003AD01 ,  2G003AG03 ,  2G003AG05 ,  2G003AH05 ,  2G003AH07 ,  2G011AA12 ,  2G011AC32 ,  2G011AE22 ,  2G011AF06 ,  2G132AF01 ,  2G132AL18 ,  2G132AL21
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体レ-ザ評価装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-000313   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開平3-131737
  • 特開平3-131737

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