特許
J-GLOBAL ID：200903029186722446
半導体ナノワイヤー素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
和泉 良彦
, 小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-045681
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236157
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】高機能な半導体ナノワイヤー素子を提供すること。【解決手段】ガリウムリン基板1上に、ガリウムリンからなる下部層2、インジウムリンからなる中間層3およびガリウムリンからなる上部層4を構成要素とする半導体ナノワイヤーを形成し、大気による酸化等の影響を防ぐため、ナノワイヤー全体を保護層5の中に埋め込むことによって、半導体ナノワイヤー素子を構成する。形成されたナノワイヤーの径は9〜30nm、下部層2および上部層4の長さは300nmであり、中間層3の厚さは10nmである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも2つの異なる組成を持つ3層の半導体層からなる3層構造を持つ半導体ナノワイヤー素子であって、前記3層構造の上部層および下部層に挾まれた中間層が、前記上部層のバンドギャップおよび前記下部層のバンドギャップのいずれよりも小さいバンドギャップを持つ直接遷移型の材料からなり、30nm以下の幅と30nm以下の厚さとを有することを特徴とする半導体ナノワイヤー素子。
IPC (3件)：
H01L33/00
, B82B1/00
, H01L29/06
H01L33/00 A
, B82B1/00
, H01L29/06 601N
5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA10
, 5F041CA34
, 5F041CA37
