特許

J-GLOBAL ID：200903029190381807

半導体装置の製造方法

発明者： 宇田 智彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074729
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250999
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、レベリング処理のされていないボールバンプ20が形成された半導体チップ10を用意する工程と、表面に電気的接続部32が形成された基板30を用意する工程と、半導体チップ10を基板30に搭載して、ボールバンプ20と電気的接続部32とを接触させて電気的に接続する工程と、を含む。電気的接続部32は、はんだ層36を含む。半導体チップ10を基板30に搭載する工程では、ボールバンプ20をはんだ層36の融点よりも低い温度に加熱して電気的接続部32に接触させた後に、ボールバンプ20及び電気的接続部32をはんだ層36の融点よりも高い温度に加熱する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

レベリング処理のされていないボールバンプが形成された半導体チップを用意する工程と、 表面に電気的接続部が形成された基板を用意する工程と、 前記半導体チップを前記基板に搭載して、前記ボールバンプと前記電気的接続部とを接触させて電気的に接続する工程と、 を含み、 前記電気的接続部は、はんだ層を含み、 前記半導体チップを前記基板に搭載する工程では、 前記ボールバンプを前記はんだ層の融点よりも低い温度に加熱して前記電気的接続部に接触させた後に、前記ボールバンプ及び前記電気的接続部を前記はんだ層の融点よりも高い温度に加熱する半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (1件)：

H01L21/60 311Q

Fターム (4件)：

5F044KK14 ,  5F044LL01 ,  5F044LL05 ,  5F044QQ04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-263895号公報