特許
J-GLOBAL ID：200903029190963644
炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
上代 哲司
, 神野 直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-080648
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261612
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、1300°C以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、
窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/42
, C30B 29/36
, H01L 29/167
H01L21/205
, C23C16/42
, C30B29/36 A
, H01L29/167
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077HA06
, 4G077TC02
, 4G077TC03
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA37
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 4K030KA25
, 4K030LA12
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045BB04
, 5F045DP04
, 5F045EB15
, 5F045EE03
, 5F045EK03
, 5F045HA06
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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