トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器、並びにトランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邊隆 , 志賀正武 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-351112
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186393
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】配線構造の設計自由度が高く、さらには品質の向上を図ることが可能なトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】トランジスタ10は、それぞれ半導体膜20,21,22からなるソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、ゲート絶縁膜23と、ゲート電極24とを備えて構成される。絶縁部材30を挟んでその両側に、ソース領域を含む半導体膜20とドレイン領域を含む半導体膜21とが分けて形成され、絶縁部材30の上に、チャネル領域を含む半導体膜22が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

それぞれ半導体膜からなるソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを備えてなり、絶縁部材を挟んでその両側に、前記ソース領域を含む半導体膜と前記ドレイン領域を含む半導体膜とが分けて形成され、前記絶縁部材の上に、前記チャネル領域を含む半導体膜が形成されていることを特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336

FI (5件)：

H01L29/78 616S , G02F1/1368 , H01L29/78 627A , H01L29/78 616L , H01L29/78 618A

Fターム (65件)：

2H092JA24 , 2H092JA25 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB56 , 2H092JB58 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092MA37 , 2H092NA13 , 2H092NA19 , 2H092NA25 , 5F110AA06 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110CC05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD21 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL27 , 5F110HM02 , 5F110NN01 , 5F110NN03 , 5F110NN62 , 5F110NN72 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭62-216372
特開平4-330736
特開平4-330736

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