特許

J-GLOBAL ID：200903029198037137

露光方法および半導体装置の製造方法

発明者： 大森 真二 ,  守屋 茂 ,  納土 晋一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-331090
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165500
出願日： 2002年11月14日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】マスクパターンの電子線描画データの補正だけでは低減できないパターン位置誤差を露光時において補正することができる露光方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】露光時に対し反転した姿勢でマスクのパターン位置R2を計測し(ステップST7)、計測されたパターン位置R2に対し露光時の姿勢における重力によるパターン変位を考慮した補正を行い、補正された補正パターン位置の設計データからの差に基づいて第1の補正データΔ1を作成し(ステップST10)、第1の補正データΔ1に基づいて、荷電粒子ビームを偏向させて被露光体に露光されるパターンの位置を補正して露光を行う(ステップST13)。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

露光時に対し反転した姿勢でマスクのパターン位置を計測する工程と、 前記計測された前記パターン位置に対し前記露光時の姿勢における重力によるパターン変位を考慮した補正を行い、補正された補正パターン位置の設計データからの差に基づいて第1の補正データを作成する工程と、 前記第1の補正データに基づいて、荷電粒子ビームを偏向させて被露光体に露光されるパターンの位置を補正して露光を行う工程と を有する露光方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01J37/305

FI (5件)：

H01L21/30 541J ,  G03F7/20 504 ,  G03F7/20 506 ,  H01J37/305 B ,  H01L21/30 541S

Fターム (13件)：

2H097CA16 ,  2H097GB00 ,  2H097KA03 ,  2H097LA10 ,  5C034BB04 ,  5C034BB05 ,  5F056AA22 ,  5F056AA25 ,  5F056BA10 ,  5F056CA11 ,  5F056CC11 ,  5F056CD09 ,  5F056FA05