特許

J-GLOBAL ID：200903029199065312

洗浄方法及びそれを行うための洗浄装置

発明者： 政 起弘 ,  金 凡洙 ,  申 相旭 ,  金 奉▲ヒュン▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-137668
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150444
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 多層配線構造のためのコンタクト形成工程時に発生する汚染粒子を効率よく取り除くことのできる洗浄方法を提供する。【解決手段】 本発明の洗浄方法は、ウェーハに蒸留水(DIW)とアンモニア水(NH4OH)を噴射してウェーハ上に存在する汚染粒子を取り除くことを特徴とし、ウェーハに蒸留水(DIW)とアンモニア水(NH4OH)を噴射してウェーハ上に存在する汚染粒子を取り除く第1段階と、ウェーハに蒸留水を噴射しながら斜めに固定されている超音波ノズルを通して蒸留水に超音波を加えてウェーハ上に存在する汚染粒子を取り除く第2段階とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ウェーハに蒸留水(DIW)とアンモニア水(NH4OH)を噴射してウェーハ上に存在する汚染粒子を取り除くことを特徴とする半導体装置の製造のための洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 643 ,  B08B 3/12

FI (3件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 643 D ,  B08B 3/12 Z