特許
J-GLOBAL ID：200903029199229080
微細パターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011242
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206085
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 既存の露光装置およびレジストを用いてパターンの解像度の向上を目的とする。【構成】 上記目的達のため、被加工体上にレジストをパターニングして、開口を有するレジストパターンを形成する工程と、次いで、該レジストパターン表面から該開口底面に延在するように、薄膜を被着形成する工程と、次いで、該開口底面にて前記被加工体表面を露出するように該薄膜を除去し、かつ該開口側面には該薄膜を残すように、該薄膜を異方性エッチングする工程と、次いで、前記レジストパターンおよび該薄膜をマスクにして、前記被加工体をパターニングする工程と、次いで、該レジストパターンおよび該薄膜を除去する工程とから構成する。かかるプロセスにより、既存の露光装置とレジストを用いて、レジストパターニングのマージンが大きくなると共に解像度の向上を図ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
被加工体上にレジストをパターニングして、開口を有するレジストパターンを形成する工程と、次いで、該レジストパターン表面から該開口底面に延在するように、薄膜を被着形成する工程と、次いで、該開口底面にて前記被加工体表面を露出するように該薄膜を除去し、かつ該開口側面には該薄膜を残すように、該薄膜を異方性エッチングする工程と、次いで、前記レジストパターンおよび該薄膜をマスクにして、前記被加工体をパターニングする工程と、次いで、該レジストパターンおよび該薄膜を除去する工程とを有する微細パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
