特許
J-GLOBAL ID：200903029205735449
半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-339934
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188247
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 メッキの欠落や形状不良のないバンプを有する半導体基板の製造装置を提供する。【構成】 半導体基板表面を上方に向け、かつ、半導体基板に接触するカソードピンをパッキン内に埋め込み、その先端を半導体基板に接触させた状態で電解メッキを行い、このメッキ液排出液をアノードの高さより高い位置から排出する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を載置する半導体支持部とメッキ液供給手段及びアノードを備えたメッキヘッド本体とが接合されてなるメッキ槽の内部に、メッキすべき半導体基板を設置し、その半導体基板表面をメッキ液に晒し、かつ、半導体基板にカソードピンを接触させた状態で、そのカソードピン及び上記アノード間に電位差を与えることにより電解メッキを行って上記半導体基板の所定部分に突起電極を形成する方法において、上記半導体基板表面を上方に向けて載置するとともに、上記半導体支持部とメッキヘッド本体との接合をパッキンを介して行い、上記カソードピンの先端を上記半導体基板表面に接触させた状態で当該カソードピンを上記パッキン内に埋め込み、かつ、排出すべきメッキ液を上記アノードの上方位置より排出することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/288
