特許

J-GLOBAL ID：200903029206599298

光点弧サイリスタ及びそれを用いた光結合型半導体リレー

発明者： 山田 耕一
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-113153
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321301
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】ロックオン現象を完全に回避した上で光感度を向上させる。【構成】サイリスタSCRの第2ゲートG2 とカソード端子Kとの間に抵抗R1及びMOSFET1を並列接続する。MOSFET1のゲートを、ダイオードD1 ,D2 を各々介してカソード端子KとサイリスタSCRの第1ゲートG1 とに接続する。サイリスタSCRの第1ゲートG1 とカソード端子Kとの間にフォトトランジスタPTを接続する。よって、光照射を受けたフォトトランジスタPTに流れる光励起電流がサイリスタSCRの第1ゲートG1 のゲート電流として寄与し、光点弧サイリスタPThの光感度を向上させることができる。しかも、サイリスタSCRの第2ゲートG2 とカソード端子Kとの間の抵抗値は大きくならないから、サイリスタSCRの発熱が押さえられ、ロックオン現象の発生を防止できる。

請求項（抜粋）：

光照射を受けてオンするサイリスタと、サイリスタのアノード・カソード間電圧が所定の電圧値を越えている時にサイリスタをクランプしてオンさせないゼロクロス回路と、光照射を受けサイリスタをオンさせる方向に光励起電流を流すフォトトランジスタとを半導体基板上に形成して成ることを特徴とする光点弧サイリスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/747 ,  H01L 31/111

FI (3件)：

H01L 29/74 E ,  H01L 29/74 G ,  H01L 31/10 F