特許

J-GLOBAL ID：200903029208475863

半導体レーザー

発明者： 浜口 雄一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-150943
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321658
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 低消費電力でしかも光学特性が安定な内部ストライプ構造を有する実屈折率導波型の半導体レーザーを提供する。【構成】 (100)面方位のn型GaAs基板1上にMOCVD法によりn型Alx Ga1-x Asクラッド層2、Aly Ga1-y As活性層3、p型AlxGa1-x Asクラッド層4およびn型Alx Ga1-x As電流ストップ層5を順次成長させる。次に、ウエットエッチングによりn型Alx Ga1-x As電流ストップ層5に〈110〉方向に延在するストライプ状の溝5aを形成する。この溝5aの壁面は{111}B面となる。次に、MOCVD法によりp型Alz Ga1-z As光導波層6、p型Alx Ga1-x Asクラッド層7およびp型GaAsキャップ層8を順次成長させる。

請求項（抜粋）：

{100}面方位の化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板上に積層された第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層された第2導電型の第2のクラッド層と、上記第2のクラッド層上に積層され、かつ、〈110〉方向に延在するストライプ状の溝を有する第1導電型の電流ストップ層と、上記電流ストップ層の上記溝の部分の上記第2のクラッド層および上記電流ストップ層上に互いに分断されて積層された第2導電型の光導波層と、上記光導波層上に積層された第2導電型の第3のクラッド層とを有することを特徴とする半導体レーザー。