分散型フォトダイオ-ド

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝比一夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062291
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298033
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】標準的な半導体製造工程を用いて製造可能で、受信機回路と共に半導体基板上に集積化するのに適したフォトダイオードを提供する。【解決手段】半導体基板の第1の表面上に一様なパターンで形成されて複数の接続トレースによって相互接続された複数の拡散部分を有する分散型フォトダイオード構造を示す。拡散部分は標準的半導体の製造工程における最小の大きさのドットで、基板内に光によって発生された電荷担持体が最結合する前に運動する平均的な距離より小さい間隔で相互に離間している。ノイズを相殺用の逆誘導信号を生成するために半導体基板の第2の表面上に導電性の裏面板を形成する。

請求項（抜粋）：

第1のタイプのドーパントでドープされ、第1および第2の平坦な表面を有する基板と;第2のタイプのドーパントでドープされ、前記基板の前記第1の平坦な表面上に形成された複数の拡散部分と;前記基板の前記第1の平坦な表面上に配置され、前記複数の拡散部分の各々に結合された第1の複数の接続トレースと;を有することを特徴とする分散型フォトダイオード。

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