特許
J-GLOBAL ID：200903029213735695
層間接続孔の埋め込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313342
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169834
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、微細な層間接続孔にAlを選択性良く埋め込む方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係るヴィア孔3aの埋め込み方法は、半導体基板上方の下層Al配線2上に酸化シリコン層3を被覆する第1工程と、下層Al配線2上の酸化シリコン層3にドライエッチングを用いてヴィア孔3aを形成する第2工程と、ヴィア孔3aにおける下層Al配線2の露出表面に形成されている自然酸化膜2aと、第2工程によって生じた酸化シリコン層3a表面の変質層3bと該変質層3b上の汚染物4質とを、塩素と、炭素と、水素とを含むガス雰囲気中でプラズマエッチングすることによって除去する第3工程と、有機金属ガスを原料として用いた化学気相堆積法によりヴィア孔3a内にアルミニウムを選択的に堆積する第4工程とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上方の金属配線上に層間絶縁膜を被覆する第1工程と、前記金属配線上の前記層間絶縁膜にドライエッチングを用いて層間接続孔を形成する第2工程と、前記層間接続孔における前記金属配線の露出表面に形成されている自然酸化膜と、前記第2工程によって生じた前記層間絶縁膜表面の変質層と該変質層上の汚染物質とを、塩素と、炭素と、水素とを含むガス雰囲気中でプラズマエッチングすることによって除去するとともに、前記炭素と前記水素とを含む重合膜を前記層間接続孔の内周面に形成する第3工程と、有機金属ガスを原料として用いた化学気相堆積法により前記層間接続孔内にアルミニウムを選択的に堆積する第4工程と、を備えることを特徴とする層間接続孔の埋め込み方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/285
, H01L 21/3213
H01L 21/90 A
, H01L 21/88 D
