特許
J-GLOBAL ID：200903029215649184
位相シフト・マスクの欠陥修正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255774
公開番号（公開出願番号）：特開平6-083039
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 位相シフト・マスクの欠陥修正を簡便な方法で行い、しかも実用上十分な解像特性を保証する。【構成】 欠損部4の生じた位相シフタ3を有する位相シフト・マスクにおいて、石英基板1の裏側に修正用シフタ材料層とポジ型のフォトレジスト層を順次形成し、位相シフタ3の形成面側から露光する。フォトレジスト層はCr遮光膜2に遮光される部分はもちろん、欠損部4の垂直投影位置においても透過光の干渉作用により自己整合的に未露光部が生ずる。現像後に残る未露光部をマスクとして等方性エッチングにより修正用シフタ材料層をエッチングし、テーパー形状を有する修正用シフタ5aを得る。位相シフタ3と修正用シフタ5aの相補的な位相シフト作用により、ほぼ当初目的とした位相シフト効果が得られる。
請求項（抜粋）：
透明基板上に露光光の位相をシフトさせるための位相シフタが形成されてなる位相シフト・マスク上で該位相シフタに発生した欠陥を修正する位相シフト・マスクの欠陥修正方法において前記透明基板の位相シフタ形成面とは反対側の面上であってかつ前記欠陥の垂直投影位置に、該欠陥により発生する位相のシフト量の過不足を相殺する修正用シフタを形成することを特徴とする位相シフト・マスクの欠陥修正方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 301 W
, H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
