特許
J-GLOBAL ID：200903029219661049
電子放出素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338097
公開番号（公開出願番号）：特開平9-161658
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 安定した電子放出が可能であり、また、製造プロセスが簡便な電子放出素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 500torrの第1のチャンバ内にヘリウムと酸素ガスを導入し、アルミニウムを蒸発させ、直径30nm程度の超微粒子アルミニウムを生成し、その表面を酸化させる。こうして、表面が酸化膜(Al2O3)に覆われた直径30nm程度の超微粒子アルミニウムを生成し、これを5torrの第2のチャンバへ移送してノズルから吹き出させて基板上に超微粒子の充填層を形成する。この充填層は、アルミニウム中に局所的に酸化アルミニウムからなる高抵抗領域を有する層になり、表面伝導型の電子放出素子が形成できる。
請求項（抜粋）：
表面が絶縁膜によって覆われた導電性材料からなる微粒子を多数充填することにより構成される電子放出層と、この電子放出層に接触し互いに所定間隔をおいて配置された一対の電極と、前記電子放出層および前記一対の電極を支持する支持基板と、を有することを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
