特許

J-GLOBAL ID：200903029223828802

平面導波路素子型光増幅器及びその製作方法

発明者： 尹 泳權
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 竹内 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-277524
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163397
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高い増幅比及び高集積化を実現できる平面導波路素子型光増幅器を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に積層された下部クラッド層と、下部クラッド層上に積層され、光信号の進行経路になるコア層160と、コア層に隣接され、下部クラッド層上に積層されて環状光経路を形成し、環状光経路に沿ってコア層からその内部にカップリングされた光信号を増幅する増幅層140と、増幅層上に積層され、下部クラッド層と共にコア層及び増幅層を囲むクラッド層と、からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

平面導波路素子型光増幅器において、半導体基板と、前記半導体基板上に積層された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に積層され、光信号の進行経路になるコア層と、前記コア層に隣接され、前記下部クラッド層上に積層されて環状光経路を形成し、前記環状光経路に沿って前記コア層からその内部にカップリングされた光信号を増幅する増幅層と、前記増幅層上に積層され、前記下部クラッド層と共に前記コア層及び前記増幅層を囲む上部クラッド層と、からなることを特徴とする平面光導波路素子型光増幅器。

IPC (4件)：

H01S 3/10 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  H01S 3/06

FI (4件)：

H01S 3/10 Z ,  H01S 3/06 A ,  G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 M

Fターム (19件)：

2H047KA04 ,  2H047KB03 ,  2H047PA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA01 ,  2H047QA02 ,  2H047RA00 ,  2H047TA11 ,  5F072AB09 ,  5F072AK04 ,  5F072JJ02 ,  5F072JJ04 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK30 ,  5F072LL16 ,  5F072LL19 ,  5F072RR01 ,  5F072YY17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層型光導波回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-124784   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭59-061979