特許

J-GLOBAL ID：200903029224086559

電子装置およびその製造方法

発明者： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  山口 城 ,  鈴木 克己
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076814
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277606
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 配線層間に用いるに好適な低誘電率の絶縁膜を用い、高速動作可能な電子装置の製造技術を提供する。【解決手段】 配線層間に用いる絶縁膜として、アリールエーテル系、アルキル基乃至アリール基乃至アルキレン基で置換したアリールエーテルからなる絶縁膜を使用する。配線層に銅系材料を選んだ場合にも、銅拡散防止性能が十分でありかつ置換基のないアリールエーテルに比べても誘電率がより低いため、好ましく用いることができる。

請求項（抜粋）：

配線層に接し、アルキル基かアリール基かアルキレン基かの少なくとも一つを置換基として有するアリールエーテル系単量体が重合してなる絶縁膜を、配線層間に用いることを特徴とする電子装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/312

FI (4件)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/283 P ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/306 M

Fターム (53件)：

4M104AA01 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD43 ,  4M104DD72 ,  4M104GG09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033VV04 ,  5F033XX24 ,  5F043AA37 ,  5F043AA38 ,  5F043DD15 ,  5F043DD16 ,  5F043GG03 ,  5F058AC10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD09 ,  5F058AD11 ,  5F058AE05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG04 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ01