パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093822
公開番号（公開出願番号）：特開平9-281699
出願日： 1996年04月16日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】リソグラフィにおいて、反射による影響を受けず、かつ、断面形状の良好なレジストパターンを寸法精度良く形成する。【解決手段】レジスト中に露光光を吸収する吸光成分と、露光によって活性化する反応促進成分と、露光によって反応促進成分を失活させる能力を持つ失活成分を同時に含有させ、レジストの可溶化あるいは架橋反応が膜厚方向に均一に起こるようにする。

請求項（抜粋）：

被加工基板上に、レジスト膜を塗布する工程と、上記レジスト膜の所望の場所にエネルギ線を照射する工程と、上記レジスト膜を現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記レジストは、上記エネルギ線を吸収して上記被加工基板による光反射を軽減する吸光成分と、エネルギ線の照射によって感光する感光成分を含有し、上記感光成分が少なくとも、エネルギ線の照射によって目的とする主反応であるレジスト可溶化反応あるいはレジストポリマ架橋反応を促進させることができる反応促進成分と、エネルギ線の照射によって上記主反応促進成分を消失あるいは失活させるようになるか、あるいは、エネルギ線の照射によって主反応と逆の効果をレジストに与える失活成分の二種類の成分を含有しており、上記反応促進成分の反応量と上記失活成分の反応量の差をレジスト膜の厚さ方向に一定にすることによって、上記エネルギ線のレジスト膜厚方向の強度分布を補償する反応促進成分と失活成分を含有し、かつ、その含有量を調節したことを特徴とする自己濃度補正型吸光性レジストであることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/039 501 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/039 501 , H01L 21/30 502 R

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