特許
J-GLOBAL ID：200903029226541652
マスク基板および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316445
公開番号（公開出願番号）：特開平7-168341
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の製造における、フォトリソグラフィ工程において、安定したパターン寸法を作製する。【構成】目的とする設計パターン寸法がLのとき、それに対応するピボタルシフト量PL と、パターン寸法をL-PL に補正したときのピボタルシフト量PL-PLとを求め、Δ=PL 2 /(2PL -PL-PL)で求めたΔを用いて、パターン寸法をL-Δに補正して焼き付ける。
請求項（抜粋）：
設計パターン寸法Lに対応するピボタルシフトPL を求める工程と、前記ピボタルシフトPL を補正したパターン寸法L-PL を求める工程と、前記補正したパターン寸法L-PL に対応するピボタルシフトPL-PLを求める工程と、Δ=PL 2 /(2PL -PL-PL)によりΔを求める工程と、パターン寸法がL-Δとなるようにマスクパターンデータを発生する工程と、該マスクパターンデータに基づき、パターンをマスク基板上に形成する工程とを有するマスク基板の製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/308
