特許

J-GLOBAL ID：200903029227274747

常圧化学的気相成長装置

発明者： 平井 誠 ,  植松 茂樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073481
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269200
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】ウェハ面内の不純物濃度や膜厚のばらつきが低減されたCVD膜を形成可能な常圧CVD装置のガスノズルヘッドを提供する。【解決手段】ウェハ1を搭載した搬送ベルト21上のウェハ面上にCVD膜を形成するための反応ガスを供給するために搬送ベルトの上方に配設されたガスノズル10は、搬送ベルトのウェハ搭載面に対向するガス噴出口11を有するガスノズルヘッド本体と、ガス噴出口の開口周縁付近の少なくとも一部に配設され、ガス噴出口からウェハの面上に供給された反応ガスをウェハ面上で部分的に滞留させるガス分布安定板15と、ガスノズルヘッド本体およびガス分布安定板の側方および上側を囲むように配設され、排気口13が設けられたガスノズルカバー14とを具備する。

請求項（抜粋）：

処理対象となる半導体ウェハを搭載して水平方向に移動させる搬送ベルトと、前記搬送ベルトの上方に配設され、前記搬送ベルト上に搭載されて移動する半導体ウェハの面上に気相成長膜を形成するための反応ガスを供給するガスノズルとを具備し、前記ガスノズルは、前記搬送ベルトのウェハ搭載面に対向するガス噴出口を有するガスノズルヘッド本体と、前記ガスノズルヘッド本体のガス噴出口の開口周縁付近の少なくとも一部に配設され、前記ガス噴出口から前記半導体ウェハの面上に供給された反応ガスを半導体ウェハ面上で部分的に滞留させるガス分布安定化部材と、前記ガスノズルヘッド本体およびガス分布安定化部材の側方および上側を囲むように配設され、排気口が設けられたガスノズルカバーとを具備することを特徴とする常圧化学的気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/316 X

Fターム (32件)：

4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA14 ,  4K030JA09 ,  4K030KA45 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB35 ,  5F045AB36 ,  5F045AE29 ,  5F045AF01 ,  5F045BB01 ,  5F045BB04 ,  5F045DP21 ,  5F045DP23 ,  5F045DP27 ,  5F045EF02 ,  5F045EF20 ,  5F058BA20 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF01 ,  5F058BF02 ,  5F058BF03 ,  5F058BG02