特許

J-GLOBAL ID：200903029232080373

強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路

発明者： 渡部 行男
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055951
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263646
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【構成】 半導体層上に強誘電体層を積層して、これらの層上に1対の電極を形成してなるダイオード素子であって、強誘電体薄膜をよぎって該半導体層に流れる非トンネル性の電流電圧特性が0°C以上でヒステリシスを有する強誘電体ダイオード素子。【効果】 本発明によれば、単純な構成で、神経疑似素子や高集積化の容易なメモリー素子を提供することができる。

請求項（抜粋）：

半導体層上に強誘電体層を積層し、これを1対の電極で挟んで構成されたダイオード素子であって、該電極間に0°C以上で動作電圧より大な電圧を印加して過大な電流を流すことにより低抵抗状態となることを特徴とする強誘電体ダイオード素子。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371