特許

J-GLOBAL ID：200903029232514373

トンネル磁気抵抗効果型の磁気ヘッド及びその製造方法

発明者： 張 依 群 ,  菊地 英幸 ,  橋本 淳一 ,  金峰 理明 ,  金井 均
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-288809
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 ヘッドコア幅よりも広い自由磁性層を有し、かつ短絡の問題がないハード層によりこの自由磁性層へバイアス磁界を印加できるトンネル磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 少なくとも反強磁性層、固定磁性層、トンネル絶縁層及び自由磁性層を含むトンネル磁気抵抗効果膜と、前記自由磁性層にバイアス磁界を印加するために前記トンネル磁気抵抗効果膜の両側に配置されるハード層とを、備えるトンネル磁気抵抗効果型の磁気ヘッドであって、前記反強磁性層及び前記固定磁性層の両端部に絶縁性の無効部を有した構成である。

請求項（抜粋）：

少なくとも反強磁性層、固定磁性層、トンネル絶縁層及び自由磁性層を含むトンネル磁気抵抗効果膜と、前記自由磁性層にバイアス磁界を印加するために前記トンネル磁気抵抗効果膜の両側に配置されるハード層とを、備えるトンネル磁気抵抗効果型の磁気ヘッドであって、前記反強磁性層及び前記固定磁性層の両端部に絶縁性の無効部を有する、ことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型の磁気ヘッド。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (14件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034CA00 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049BA12 ,  5E049DB11