特許
J-GLOBAL ID:200903029232948225

基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 和泉 良彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-156335
公開番号(公開出願番号):特開2002-353284
出願日: 2001年05月25日
公開日(公表日): 2002年12月06日
要約:
【要約】【課題】熱処理後の基板の冷却時間がかかるという従来技術の課題を解決し、熱処理後の基板を急速に冷却し、冷却時間を短縮し、スループットが向上できる基板処理装置を提供する。【解決手段】真空下で基板7を搬送する基板処理装置1において、処理後の基板7を基板冷却室6内に載置して冷却する際、真空状態の基板冷却室6に基板7を搬入した後、冷却用ガスのHeを基板冷却室6に導入し、略大気圧状態として基板7を冷却し、所望の温度まで冷却した後、再度、基板冷却室6を真空状態に戻す。
請求項(抜粋):
真空下で基板を搬送する基板処理装置において、処理後の基板を冷却室内に載置して冷却する際、真空状態の上記冷却室に上記基板を搬入した後、冷却用ガスを上記冷却室に導入し、略大気圧状態として上記基板を冷却し、所望の温度まで冷却した後、再度、上記冷却室を真空状態に戻すことを特徴とする基板処理装置。
Fターム (10件):
5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA12 ,  5F031HA38 ,  5F031HA42 ,  5F031MA04 ,  5F031NA04 ,  5F031NA05 ,  5F031NA07
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-279866   出願人:東京エレクトロン株式会社

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