レジスト膜の灰化方法と水蒸気の供給方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232700
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086253
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】本発明はレジスト膜の灰化方法と半導体製造プロセスに用いる水蒸気の供給方法に関し、半導体基板上の残留塩素を効率良く除去すること、及び、安定的に純度の高い水蒸気の供給方法を得ることを目的とする。【構成】ドライエッチング装置とレジスト膜灰化装置の間の連結部分に水蒸気を供給するための第二のロードロック室を設けるように、また、水蒸気を供給する密閉式供給タンクが石英製であるように構成する。

請求項（抜粋）：

マスクにレジスト膜(1) を用い、エッチャントに塩素系ガス(2) を用いて、ドライエッチング室(4) で半導体基板(3) を選択的にエッチングし、次いで、真空を破らずに、該ドライエッチング室(4) に連設された第一のロードロック室(6) と第二のロードロック室(7) に連なるアッシング室(5) で該レジスト膜(1) を灰化除去するレジスト膜の灰化方法において、前記第二のロードロック室(7) に水蒸気(8) を供給することを特徴とするレジスト膜の灰化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027 , H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

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