特許
J-GLOBAL ID：200903029240422410
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236120
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064360
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 欠陥密度が低くて絶縁耐圧が高いゲート酸化膜を得る。【解決手段】 シリコン基板11の表面に炭化シリコン層13を形成し、少なくとも炭化シリコン層13を熱酸化してシリコン基板11の表面にシリコン酸化膜14を形成し、このシリコン酸化膜14をMOSトランジスタのゲート酸化膜にする。つまり、シリコン酸化膜14の総てをシリコン基板11自体の熱酸化によって形成しているのではないので、シリコン基板11中に結晶欠陥が存在していても、シリコン酸化膜14にはシリコン基板11中の結晶欠陥が取り込まれにくい。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面に炭化シリコン層を形成する工程と、少なくとも前記炭化シリコン層を熱酸化して前記シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 S
