特許

J-GLOBAL ID：200903029240680762

熱電モジュール及びその製造方法

発明者： 田内 比登志 ,  板倉 正人 ,  杉浦 裕胤
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022565
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232022
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップ接合に例えば第2半田材として95Sn5Sbのような半田材を使用しても、放熱側の耐熱性を落とすことなく熱電モジュールを構成することができる。また多種の半田材を使用することもなく、安価な熱電モジュールの提供。【解決手段】 ケース1と、放熱側絶縁基板4aと、吸熱側絶縁基板4bと、前記放熱側絶縁基板と前記ケースとを第1半田材により接合する第1半田層5aと、前記放熱側絶縁基板と前記吸熱側絶縁基板との間にP型半導体チップ4f及びN型半導体チップ4eを第2半田材により接合する第2半田層9a、9bとからなり、前記第1半田層の第1半田材は前記第2半田層の第2半田材と同一材料であることを特徴とする熱電モジュール。

請求項（抜粋）：

ケースと、放熱側絶縁基板と、吸熱側絶縁基板と、前記放熱側絶縁基板と前記ケースとを第1半田材により接合する第1半田層と、前記放熱側絶縁基板と前記吸熱側絶縁基板との間にP型半導体チップ及びN型半導体チップを第2半田材により接合する第2半田層とからなり、前記第1半田層の第1半田材は前記第2半田層の第2半田材と同一材料であることを特徴とする熱電モジュール。

IPC (9件)：

H01L 35/08 ,  B23K 35/26 310 ,  B23K 35/26 ,  B23K 35/30 310 ,  C22C 13/00 ,  C22C 13/02 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/32 ,  H01S 5/024

FI (9件)：

H01L 35/08 ,  B23K 35/26 310 A ,  B23K 35/26 310 D ,  B23K 35/30 310 A ,  C22C 13/00 ,  C22C 13/02 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/32 A ,  H01S 5/024

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F073FA22 ,  5F073FA25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光素子モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290443   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 熱電変換素子基板の接合方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-113383   出願人：松下電工株式会社