特許
J-GLOBAL ID：200903029241227174
膜成長方法と膜成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136087
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスに適した半導体もしくは金属の膜成長方法に関し、均一で平坦な膜を成長することが可能な膜成長方法を提供することを目的とする。【構成】 下地表面上に金属または半導体の化合物の吸着層を形成する工程と、前記吸着層を分解反応させ、金属または半導体の析出層を形成する工程と、前記析出層上に金属または半導体の成長膜を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
下地(1)表面上に金属または半導体の化合物の吸着層(2)を形成する工程と、前記吸着層を分解反応させ、金属または半導体の析出層(3)を形成する工程と、前記析出層(3)上に金属または半導体の成長膜(5)を形成する工程とを含む膜成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285 301
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/28
