特許

J-GLOBAL ID：200903029243829287

金属酸化物薄膜の形成方法

発明者： 野間 淳史 ,  上田 大助
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045351
公開番号（公開出願番号）：特開平5-247658
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月24日
要約：

【要約】【目的】 基板上に塗布されたゾルゲル溶液の所望の領域のみを結晶化させ、基板表面に損傷を与えることなく所望の領域のみに金属酸化物薄膜を形成する。【構成】 酢酸鉛とチタンイソプロポキシドのイソプロパノール溶液2をスピンコーティング法により基板1上に塗布し、50keVの電子ビーム3を所望の領域に照射し、電子ビーム照射による熱エネルギーによって照射領域の溶液のみを結晶化させチタン酸鉛薄膜4とする。さらにフッ酸の30倍希釈水溶液に1分間浸せきし、照射領域以外の溶液を除去し、所望の領域のみに形成されたチタン酸鉛薄膜4を得る。この構成により、基板表面に損傷を与えることなく所望の領域のみに金属酸化物薄膜を形成させることができ、基板上の全面に金属酸化物薄膜を形成した後に物理的エッチングにより不要部分を除去する従来方法での問題点であった基板表面損傷によるデパイス特性劣化が解消される。

請求項（抜粋）：

基板上に金属アルコキシド,金属塩および有機金属化合物のうち少なくとも一つを含有する有機溶媒溶液を塗布する工程と、その塗布された有機溶媒溶液の膜の所定領域に電子ビーム,イオンビームまたはレーザ光を照射して、照射領域を結晶化させる工程とを少なくとも有することを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 18/14 ,  B23K 15/00 508 ,  B23K 26/00 ,  C01B 13/14 ,  C01G 23/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-301566
  
• 特開昭63-192875
  
• 特開平1-313329