特許
J-GLOBAL ID：200903029248783838
しきい値電圧ばらつき修正方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214021
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061256
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 集積回路におけるMISFETの電気特性のばらつきのうち、しきい値電圧のばらつきの改善をはかり、大規模集積回路におけるMISFETの電気特性の均一性向上に寄与し得るしきい値電圧ばらつき修正方法を提供すること。【構成】 半導体集積回路を構成する複数のMISFET10,20間のしきい値電圧のばらつきが小さくなるようにMISFET10,20のしきい値電圧を修正するしきい値電圧ばらつき修正方法において、MISFET10,20のドレインバイアスを同じにし、かつソースバイアスを同じにした上で、MISFET10,20に同じウェルバイアスを印加すると共に、同じゲートバイアスを同時に印加することにより、修正前のしきい値電圧に応じて各MISFET10,20に流れるソース電流の一部を各々のMISFETのゲート絶縁膜中に注入することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路を構成する複数のMISFET間のしきい値電圧のばらつきが小さくなるように各MISFETのしきい値電圧を修正する方法において、前記MISFETのドレインバイアスを同じにし、かつソースバイアスを同じにした上で、該MISFETに同じウェルバイアスを印加すると共に、同じゲートバイアスを同時に印加し、修正前のしきい値電圧に応じて各MISFETに流れるキャリア電流の一部を各々のMISFETのゲート絶縁膜中に注入することを特徴とするしきい値電圧ばらつき修正方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/10 311
