特許

J-GLOBAL ID：200903029250372101

半導体集積回路装置

発明者： 山口 聖司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313157
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170171
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の出力端子で消費される消費電力を低減するために外部負荷条件に応じて最適な駆動能力をプログラマブルに設定する。【構成】 ソースを接地線に接続しドレインを共通接続した3個のN型MOSN1〜N3と、ソースを電源線に接続しドレインを共通接続した3個のP型MOSP1〜P3と、前記N型MOSのゲートを独立にオン/オフ設定する手段12,14と、前記P型MOSのゲートを独立にオン/オフ設定する手段22,24と、半導体集積回路の内部に出力端子6の駆動能力を決めるデータを記憶する記憶手段32,34を具備する半導体集積回路装置である。

請求項（抜粋）：

ソースを接地線に接続しドレインを共通接続したn個のN型MOSFETと、ソースを電源線に接続しドレインを共通接続したn個のP型MOSFETと、前記n個のN型MOSFETのゲートを独立にオン/オフの設定できる第1の設定手段と、前記n個のP型MOSFETのゲートを独立にオン/オフの設定できる第2の設定手段とを具備する半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H03K 19/173 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 19/0185

FI (2件)：

H03K 19/00 101 F ,  H03K 19/00 101 B