特許
J-GLOBAL ID：200903029253043605
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284081
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125093
出願日： 1994年10月24日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 パッケージの熱抵抗が十分に小さく、かつ耐熱性に優れてワイヤーボンディング性を低下させることのない半導体装置を提供する。【構成】 放熱フィン12のパッケージ本体16内部に封止された部分にダイパッド11が形成され、このダイパッド11に半導体素子10が固着され、ダイパッド11の周辺に配置された複数本のリード端子13の先端部と半導体素子10とを金属細線14でそれぞれ接続し、半導体素子10および金属細線14等をパッケージ本体16内に封止し、パッケージ本体16内から放熱フィン12およびリード端子13の他端部を導出してなる半導体装置であって、平面視でリード端子13の先端部と重なり合う大きさの放熱用金属板15を、リード端子13の先端部との間に小間隙を介在させて、ダイパッド11の下面に直接的に接合する。
請求項（抜粋）：
放熱フィンのパッケージ本体内部に封止された部分にダイパッドが形成され、このダイパッドに半導体素子が固着され、ダイパッドの周辺に配置された複数本のリード端子の先端部と半導体素子とを金属細線でそれぞれ接続し、半導体素子および金属細線等をパッケージ本体内に封止し、パッケージ本体内から放熱フィンおよびリード端子の他端部を導出してなる半導体装置において、平面視で前記リード端子の先端部と重なり合う大きさの放熱板を、前記リード端子の先端部との間に小間隙を介在させて、前記ダイパッドの下面に直接的に接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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