フォトマスク、その製造方法及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296705
公開番号（公開出願番号）：特開2001-117210
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】デザインパターン寸法がフォトマスク上の寸法値で例えば約1μmという様に縮小されるときに、欠陥修正部分の透過率低下に起因して生じるレジストパターンの寸法変動がデバイス品質に悪影響を及ぼす点を改善する。【解決手段】所定の出力条件でレーザー光を照射して凸欠陥13を除去すべき修正照射領域14を、?@凸欠陥13を包含する幅w1及びw2の照射領域14Aと、?A凸欠陥13とパターンエッジ12Eとの接続部分から第1方向D1の負方向に修正オフセット量Δwの絶対値だけ広がり且つ幅w2を有するパターン修正領域14Bとから成る領域として設定する。修正オフセット量Δwは転写後のレジストパターンの寸法変動率がデバイス品質上許容される範囲となる様に設定される。レーザー光照射後は、パターンエッジ12Eの一部が幅|Δw|だけ欠損した状態となる。

請求項（抜粋）：

石英ガラスと前記石英ガラスの表面上に形成された金属膜より成るパターンとを備えるフォトマスクの製造方法であって、前記パターンに接続する又は近接し、且つ第1方向に第1幅を有し、前記第1方向に直交すると共に前記パターンのエッジの延長方向でもある第2方向に第2幅を有する黒欠陥が存在するか否かを検出する工程と、前記検出工程に於いて前記黒欠陥が検出されるときには、前記黒欠陥を包含し且つ前記第1及び第2方向にそれぞれ第3及び第4幅を有する前記石英ガラスの前記表面上の照射領域を前記第1方向に最適修正オフセット量に基づき修正して得られる修正照射領域に渡って所定のビームを照射して前記黒欠陥を除去する工程とを備え、前記最適修正オフセット量は、前記ビーム照射工程の後に得られる前記フォトマスクを使用して半導体基板上に前記パターンを転写して得られるレジストパターンの寸法が、前記黒欠陥が存在しないときに得られるべき本来のレジストパターンの寸法と一致する様に、前記所定のビームの出力条件と、前記黒欠陥が存在する前記石英ガラスの前記表面上の領域の前記第1方向に於ける寸法と、前記黒欠陥のサイズとに応じて設定されており、前記黒欠陥が前記パターンに接続するときには前記黒欠陥と前記パターンとの境界部分より、又は前記黒欠陥が前記パターンに近接するときには前記パターンの前記エッジの内で前記黒欠陥と対向する部分より、前記第1方向に前記最適修正オフセット量の絶対値だけ前記パターンの内部に向けて広がったパターン修正領域と前記照射領域とから成る領域として前記修正照射領域が与えられる様に、前記所定のビームを制御することを特徴とする、フォトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 V , G03F 1/08 S , H01L 21/30 502 W

Fターム (7件)：

2H095BD04 , 2H095BD18 , 2H095BD23 , 2H095BD29 , 2H095BD32 , 2H095BD34 , 2H095BD35

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭60-235422
特開昭61-084833
位相シフトマスクの修正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302429 出願人：沖電気工業株式会社

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審査官引用 (9件)

位相シフトマスクの修正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302429 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭60-235422
特開昭61-084833

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