特許
J-GLOBAL ID：200903029265190000
気化器、処理装置、処理方法、及び半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094537
公開番号（公開出願番号）：特開2000-282242
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：
【要約】【課題】 処理媒体、例えばCu(hfac)TMVS等の成膜原料を、気化器から反応室まで安定して供給することを可能にすることを目的とする。【解決手段】 気化器の出口付近に対して気化器の気化部や配管の温度制御とは独立した温度制御を行うことによって気化器から反応室までの間で従来よりも細やかな温度制御を行う。
請求項（抜粋）：
処理媒体を受け取る導入部と、第1の加熱部において前記処理媒体を加熱する第1のヒータと、前記第1の加熱部において加熱された前記処理媒体を排出する出口部と、当該出口部を加熱する第2のヒータと、前記出口部を前記処理媒体の蒸発温度よりも高い温度で加熱するように前記第2のヒータを制御する制御部と、を有する気化器。
IPC (3件)：
C23C 16/448
, C23C 16/18
, H01L 21/205
C23C 16/448
, C23C 16/18
, H01L 21/205
4K030AA11
, 4K030BA01
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030EA11
, 4K030JA10
, 4K030KA25
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 5F045AA04
, 5F045AC07
, 5F045AC17
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045EC09
, 5F045EE02
, 5F045EE04
, 5F045EF05
, 5F045EK27
