特許
J-GLOBAL ID:200903029267261419
表示装置用蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた電界放射型表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-275024
公開番号(公開出願番号):特開2005-036111
出願日: 2003年07月15日
公開日(公表日): 2005年02月10日
要約:
【課題】FEDなどの表示装置に用いられる硫化亜鉛蛍光体において、高電流密度の電子線による発光輝度の劣化を改善する。【解決手段】本発明の表示装置用蛍光体は、ZnS蛍光体粒子の表面の少なくとも一部が、In2O3の層により覆われている。また、このような蛍光体の製造方法は、In塩の水溶液中にZnS蛍光体を加えてIn塩から蛍光体粒子の表面にIn(OH)3の層を形成する工程と、この蛍光体を加熱処理(ベーキング)することにより、In(OH)3層をIn2O3層に変える工程を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
硫化亜鉛蛍光体粒子の表面の少なくとも一部が、酸化インジウム(In2O3)の層により覆われていることを特徴とする表示装置用蛍光体。
IPC (3件):
C09K11/08
, C09K11/56
, H01J31/12
FI (4件):
C09K11/08 G
, C09K11/08 A
, C09K11/56
, H01J31/12 C
Fターム (13件):
4H001CB04
, 4H001CC06
, 4H001CF01
, 4H001XA16
, 4H001XA30
, 4H001YA13
, 4H001YA47
, 5C036EE19
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF09
, 5C036EG36
, 5C036EH14
引用特許:
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