特許

J-GLOBAL ID：200903029267985832

絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路、絶縁ゲート型半導体モジュール及び電力変換装置

発明者： 竹中 浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386578
公開番号（公開出願番号）：特開2003-189593
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 絶縁ゲート型半導体素子の直列体にて素子温度が上昇した状態でも直列体に並列な電源の短絡を防止できるようにして信頼性に優れたものを得る。【解決手段】 絶縁ゲート型半導体素子1の素子温度を検出する温度検出手段50、15を有し、この素子温度に応じて抵抗値が変化する可変抵抗13と一定値を示す固定抵抗14とで分圧しあるいは温度検出手段であるダイオード15と固定抵抗14とで分圧され、かつ前記絶縁ゲート型半導体素子の温度上昇に伴う前記可変抵抗13あるいはダイオード15の抵抗変化によりゲート電圧出力の負バイアスを増加させる電源を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路において、前記ゲート型半導体素子の素子温度が上昇したときにゲート電圧出力にバイアスを与える手段を具備することを特徴とするゲート駆動回路。

IPC (4件)：

H02M 1/08 ,  H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78 ,  H02M 1/00

FI (6件)：

H02M 1/08 A ,  H02M 1/08 C ,  H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 657 G ,  H02M 1/00 H ,  H02M 1/00 R

Fターム (6件)：

5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740HH06 ,  5H740KK01 ,  5H740MM08 ,  5H740MM11