特許

J-GLOBAL ID：200903029270430043

半導体ファイル記憶装置

発明者： 遠藤 滋 ,  三浦 雄二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 田中 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171835
公開番号（公開出願番号）：特開2001-005717
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 簡易な構成で高速かつ高信頼性を有する半導体ファイル記憶装置を提供する。【解決手段】 フラッシュメモリ10は、セルアレー11にデータ領域及びデータ書き込み用予備領域を備える。書き込み要求があったときは、書替の発生する領域についてはレジスタ12を介して外部から書込データをデータ書き込み用予備領域に書き込み、書替の発生しない領域についてはセルアレー11のデータ領域からデータをレジスタ12を介して転送してデータ書き込み用予備領域に書き込む。書き込み終了後は、データ書き込み用予備領域をデータ領域とするとともに書き込み要求があったデータ領域をデータ書き込み用の予備領域とする。

請求項（抜粋）：

書き替え可能な不揮発性半導体メモリを用いて構成された半導体ファイル記憶装置であって、前記半導体メモリはデータ領域及びデータ書き込み用予備領域を有し、書き込み要求があったときは書替の発生する領域については外部からデータを前記予備領域に書き込み、書替の発生しない領域については前記データ領域からデータを転送して前記予備領域に書き込み、書き込み終了後は前記予備領域をデータ領域とするとともに前記書き込み要求があったデータ領域をデータ書き込み用の予備領域とすることを特徴とする半導体ファイル記憶装置。

IPC (4件)：

G06F 12/00 560 ,  G06F 12/00 542 ,  G06F 12/16 340 ,  G11C 16/02

FI (4件)：

G06F 12/00 560 A ,  G06F 12/00 542 M ,  G06F 12/16 340 P ,  G11C 17/00 601 T

Fターム (13件)：

5B018HA03 ,  5B018MA04 ,  5B018NA06 ,  5B018QA05 ,  5B025AD04 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08 ,  5B060AB25 ,  5B060CB00 ,  5B060CB01 ,  5B082DE02 ,  5B082GA11 ,  5B082JA06