特許
J-GLOBAL ID：200903029271073961
薄膜形成装置及び基板保持機構
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209104
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041252
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 W-CVD法の成膜時に下地密着層が形成されていない基板端部で発生する膜の剥離を防止する。【解決手段】 基板保持機構には、基板支持台10とこの支持台10上に載置された基板20を保持するための保持部30とを備え、保持部は薄膜形成処理の最中に温度変化によって変形する形状記憶合金を有する。薄膜形成中に保持部30を加熱することで、基板20との接触部が加熱前と加熱後で重複しない構造のため、基板20全面に薄膜を形成することができる。これにより酸化膜露出部近傍でのW-CVD成膜時の膜剥がれを防止することができる。
請求項（抜粋）：
基板上にW-CVD法による成膜のための下地密着層を形成する薄膜形成装置であって、基板支持台と、この支持台上に載置された基板を保持するための保持部と、を備え、上記保持部は、薄膜形成処理の最中に温度変化によって変形する形状記憶合金を有していることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (6件)：
H01L 21/285
, C23C 16/06
, C23C 16/44
, C23C 16/46
, H01L 21/28 301
, H01L 21/68
H01L 21/285 C
, C23C 16/06
, C23C 16/44 H
, C23C 16/46
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/68 N
