特許
J-GLOBAL ID：200903029271289514
縦型MOSトランジスタ及び静電誘導トランジスタ及びトレンチ構造のMOSトランジスタ、及び、縦型半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-015618
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213954
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 縦型半導体装置のオン抵抗の低減を図る。【解決手段】 半導体基板3の表面のドリフト層2と、ドリフト層2の表面に形成されたP型不純物領域4と、P型不純物領域4内に形成されたソース領域5と、ソース領域5とドリフト層2間のP型不純物領域4の表面に形成された酸化膜6と、酸化膜6の表面に形成されたゲート電極7と、ドレイン領域1とを備えた縦型MOSトランジスタで、P型不純物領域4間のドリフト層2の表面に、ゲート電極7に電気的に接続されたP型不純物拡散領域23を形成した。
請求項（抜粋）：
高濃度の第1導電型の半導体基板の表面に形成された、低濃度の第1導電型のドリフト層と、そのドリフト層の表面に、所定の間隔で形成された第2導電型不純物拡散領域と、その第2導電型不純物拡散領域内に形成された高濃度の第1導電型のソース領域と、そのソース領域と前記ドリフト層間の、前記第2導電型不純物拡散領域の表面に形成された酸化膜と、その酸化膜の表面に形成されたゲート電極と、高濃度の第1導電型のドレイン領域とを備えた縦型MOSトランジスタにおいて、前記第2導電型不純物拡散領域間の前記ドリフト層の表面に、前記ゲート電極に電気的に接続された第2導電型の不純物拡散領域を形成したことを特徴とする縦型MOSトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 654 C
, H01L 29/80 V
