特許
J-GLOBAL ID：200903029271802777
エッチング装置および半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-003672
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190499
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】所望厚さで、かつ、厚さばらつきが極めて少ない半導体層をもった多層構造半導体基板を製造する。【構成】膜厚測定器により帰還制御され、かつ、プラズマ引出し窓でエッチング領域を制御されたガスエッチング装置、およびこの装置により厚さばらつきをもつ半導体層を均一層厚化する。【効果】半導体層厚の制御性の悪さをその層厚分布に従って帰還制御しながら修正できるので層厚分布を格段に改善できる。
請求項（抜粋）：
ガスプラズマで基板表面をエッチングするエッチング装置において、プラズマ発生領域からのプラズマ引出し窓の開口面積が前記基板の面積よりも小さく、前記基板の表面を局所的にエッチングすることを特徴とするエッチング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, G01N 24/14
, G01R 33/64
, H01L 27/12
